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参数资料
| 型号： | MTD3055VT4 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | MTD3055VT4 |
MTD3055V
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
1.0
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100
0.1
10
1.0
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E–04
1.0E–05
1.0E–03
0.1
0.01
1.0
10
s
100
s
1 ms
10 ms
dc
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
25
50
75
100
125
ID = 12 A
150
0
75
25
50
175
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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