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参数资料
| 型号： | MTD6P10E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 660 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTD6P10EOS |
MTD6P10E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
10
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
12
10
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
100 ° C
8
6
4
2
8V
7V
6V
5V
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
1.0
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.2
1.1
1.0
0.9
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.9
0.8
T J = 25 ° C
0.8
0.7
V GS = 10 V
0.7
0.6
25 ° C
0.6
0.5
0.4
? 55 ° C
0.5
15 V
0.3
0
2
4
6
8
10
12
0.4
0
2
4
6
8
10
12
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
V GS = 10 V
I D = 3 A
V GS = 0 V
1.4
1.2
T J = 125 ° C
1.0
0.8
0.6
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
? 120
? 100
? 80
? 60
? 40
? 20
0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
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PDF描述 |
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