- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96093 > MTM6N100E (MOTOROLA INC) 6 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTM6N100E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | MTM6N100E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM15624 | 2100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM15N40 | 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| MTM15N35 | 15 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| MTM1N95 | 1 A, 950 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTP1N100 | 1 A, 1000 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTM6N55 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor |
| MTM761100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM76111 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI |
| MTM761110LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM761230LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。