型号: | MTP12N10ES |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | MTP12N10ES |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTP10N15U | 10 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP15N15D1 | 15 A, 150 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP3N100EC | 3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP50N06EWC | 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP50N05EC | 50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTP12N18 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
MTP12N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
MTP12P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MTP12P10 | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTP12P10G | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |