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参数资料
| 型号： | MTP50N06EWC |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MTP50N06EWC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP50N05EC | 50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12P06D1 | 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP4N40EUA | 4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12N10EU | 12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP15N15A16A | 15 A, 150 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP50N06V | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP50N06V_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP50N06VL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| MTP50P03HDL | 功能描述:MOSFET 30V 50A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP50P03HDLG | 功能描述:MOSFET PFET T0220 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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