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参数资料
| 型号： | MTU20N40E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 400 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | MTU20N40E |
1
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Designer's Data Sheet
TMOS E-FET.
Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This high voltage MOSFET uses an advanced termination
scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without
degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS
E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and
commutation modes. This new energy efficient design also offers a
drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high
voltage, high speed switching applications in power supplies,
converters and PWM motor controls, these devices are particularly
well suited for bridge circuits where diode speed and commutating
safe operating areas are critical and offer additional safety margin
against unexpected voltage transients.
Robust High Voltage Termination
Avalanche Energy Specified
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a
Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–to–Source Voltage
VDSS
400
Vdc
Drain–to–Gate Voltage (RGS = 1.0 M)
VDGR
400
Vdc
Gate–to–Source Voltage — Continuous
Gate–to–Source Voltage — Non–Repetitive (tp ≤ 10 ms)
VGS
VGSM
± 20
± 30
Vdc
Vpk
Drain Current — Continuous
Drain Current — Continuous @ 100
°C
Drain Current — Single Pulse (tp ≤ 10 s)
ID
IDM
20
15
70
Adc
Apk
Total Power Dissipation
Derate above 25
°C
PD
223
1.78
Watts
W/
°C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to 150
°C
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting TJ = 25°C
(VDD = 75 Vdc, VGS = 10 Vdc, PEAK IL = 20 Apk, L = 3.0 mH, RG = 25 )
EAS
600
mJ
Thermal Resistance — Junction to Case
Thermal Resistance — Junction to Ambient
R
θJC
R
θJA
0.56
62.5
°C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8
″ from case for 10 seconds
TL
260
°C
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
E–FET and Designer’s are trademarks of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.
REV 1
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by MTU20N40E/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MTU20N40E
TMOS POWER FET
20 AMPERES
400 VOLTS
RDS(on) = 0.19 OHM
D
S
G
N–Channel
PRELIMINARY CASE
MAX 220
Motorola, Inc. 1997
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTV16N50E-RL | 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTV16N50E | 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTV20N50E | 20 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTV25N50E-RL | 25 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTV25N50E | 25 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTU2D0505MC | 功能描述:DC/DC CONVERTER +/-5V 2W 制造商:murata power solutions inc. 系列:MTU2 包装:管件 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:-5V 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:200mA，200mA 功率（W） - 制造系列:2W 电压 - 隔离:1kV（1000V） 应用:ITE（商业） 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD 模块 大小/尺寸:0.33" 长 x 0.32" 宽 x 0.34" 高（8.4mm x 8.2mm x 8.5mm） 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:82% 功率（W） - 最大值:2W 标准包装:60 |
| MTU2D0512MC | 功能描述:DC/DC CONVERTER +/-12V 2W 制造商:murata power solutions inc. 系列:MTU2 包装:管件 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:-12V 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:83mA，83mA 功率（W） - 制造系列:2W 电压 - 隔离:1kV（1000V） 应用:ITE（商业） 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD 模块 大小/尺寸:0.33" 长 x 0.32" 宽 x 0.34" 高（8.4mm x 8.2mm x 8.5mm） 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:85% 功率（W） - 最大值:2W 标准包装:60 |
| MTU2D1212MC | 功能描述:DC/DC CONVERTER +/-12V 2W 制造商:murata power solutions inc. 系列:MTU2 包装:管件 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:10.8V 电压 - 输入（最大值）:13.2V 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:-12V 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:83mA，83mA 功率（W） - 制造系列:2W 电压 - 隔离:1kV（1000V） 应用:ITE（商业） 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD 模块 大小/尺寸:0.33" 长 x 0.32" 宽 x 0.34" 高（8.4mm x 8.2mm x 8.5mm） 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:83% 功率（W） - 最大值:2W 标准包装:60 |
| MTU2S0305MC | 功能描述:DC/DC CONVERTER 5V 2W 制造商:murata power solutions inc. 系列:MTU2 包装:管件 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:2.97V 电压 - 输入（最大值）:3.63V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:400mA 功率（W） - 制造系列:2W 电压 - 隔离:1kV（1000V） 应用:ITE（商业） 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD 模块 大小/尺寸:0.33" 长 x 0.32" 宽 x 0.34" 高（8.4mm x 8.2mm x 8.5mm） 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:79% 功率（W） - 最大值:2W 标准包装:60 |
| MTU2S0505MC | 功能描述:DC/DC CONVERTER 5V 2W 制造商:murata power solutions inc. 系列:MTU2 包装:管件 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:400mA 功率（W） - 制造系列:2W 电压 - 隔离:1kV（1000V） 应用:ITE（商业） 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD 模块 大小/尺寸:0.33" 长 x 0.32" 宽 x 0.34" 高（8.4mm x 8.2mm x 8.5mm） 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:82% 功率（W） - 最大值:2W 标准包装:60 |
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