参数资料
型号: MTU20N40E
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: JFETs
英文描述: 20 A, 400 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件页数: 3/8页
文件大小: 157K
代理商: MTU20N40E
MTU20N40E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4 V
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
5
20
15
25
40
0
VGS = 10 V
TJ = 25°C
2.5
3.5
4.5
6.5
5
10
20
15
40
25
0
5
10
15
20
25
35
40
0.20
0.10
0.30
0.05
0.40
0.45
0
VGS = 10 V
TJ = 100°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.125
0.175
0.100
VGS = 10 V
TJ = 25°C
0.200
0.225
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
1.0
2.0
0
VGS = 10 V
ID = 10 A
2.5
0
50
200
300
400
450
100
10,000
10
VGS = 0 V
8 V
5 V
VDS ≥ 10 V
100
°C
25
°C
TJ = –55°C
25
°C
–55
°C
15 V
100
°C
TJ = 125°C
5.5
30
1.5
30
35
7 V
6 V
7.5
150
250
350
100
1000
4.5 V
30
35
0.25
0.15
0.35
0.150
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