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参数资料
| 型号： | MTW32N20E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 32A TO-247 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTW32N20EOS |
MTW32N20E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
80
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
50
40
V DS ≥ 10 V
T J = - 55 ° C
100 ° C
25 ° C
60
40
20
7V
6V
5V
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
0.16
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.1
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.14
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.09
T J = 25 ° C
0.12
0.1
0.08
0.08
0.06
25 ° C
0.07
V GS = 10 V
0.04
- 55 ° C
0.06
15 V
0.02
0
0
8
16
24
32
40
48
56
64
0.05
0
8
16
24
32
40
48
56
64
2.5
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 10 V
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
2
I D = 16 A
2000
T J = 125 ° C
1000
1.5
200
100
1
20
100 ° C
25 ° C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
50
100
150
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PVZ2A334C04B00 | TRIMMER 330K OHM 0.1W SMD |
| PVZ2A333C04R00 | TRIMMER 33K OHM 0.1W SMD |
| NTB85N03T4 | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| KB25SKW01-5C05-JC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| NTD80N02T4 | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTW32N20EG | 功能描述:MOSFET NFET T0247 200V 32A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTW32N25 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM |
| MTW32N25E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM |
| MTW33N10E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM |
| MTW35N15E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM |
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