参数资料
型号: MTW32N20E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
产品变化通告: Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 180W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
其它名称: MTW32N20EOS
MTW32N20E
SAFE OPERATING AREA
1000
200
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
750
600
I D = 32 A
.1
20
10
2
1
10
450
300
1
0.2
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
150
0.1
1
2
10
20
100
200
1000
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.002
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
R q JC = 0.7 ° C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.001
0.01
0.02
0.1
0.2
1
2
10
20
100
200
1000
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述
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NTB85N03T4 MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
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NTD80N02T4 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
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参数描述
MTW32N20EG 功能描述:MOSFET NFET T0247 200V 32A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTW32N25 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
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