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参数资料
| 型号： | MTZJT-7716A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | MTZJT-7716A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP15005W | 15 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MP2510 | 25 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MMBZ5244BLT1T3 | 14 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MBD701RL1 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| MBD101RLRB | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTZJT-7716B | 功能描述:稳压二极管 16V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-7716C | 功能描述:稳压二极管 16V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-7718B | 功能描述:稳压二极管 18V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-7718C | 功能描述:稳压二极管 18V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-772.0B | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE ZENER SINGLE 3% 500MW 2-PIN MSD AMMO - Ammo Pack 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE ZENER 2V 500MW DO34 |
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