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参数资料
型号： MUBW10-12A7
厂商： IXYS
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.3VCE
标准包装： 6
IGBT 类型： NPT
配置： 三相反相器，带制动器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.7V @ 15V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 20A
电流 - 集电极截止（最大）： 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 0.6nF @ 25V
功率 - 最大： 105W
输入： 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻： 是
安装类型： 底座安装
封装/外壳： E2
供应商设备封装： E2
其它名称： MUBW1012A7
MUBW 10-12 A7
Output Inverter T1 - T6
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
V CES
V GES
V GEM
T VJ = 25°C to 150°C
Continuous
Transient
1200
± 20
± 30
V
V
V
I C25
I C80
RBSOA
T C = 25°C
T C = 80°C
V GE = ± 15 V; R G = 82 ? ; T VJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 μH
20
15
I CM = 20
V CEK ≤ V CES
A
A
A
D11 - D16
Rectifier Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.11 V; R 0 = 19 m ?
T1 - T6 / D1 - D6
t SC
(SCSOA)
V CE = 720 V; V GE = ± 15 V; R G = 82 ? ; T VJ = 125°C
non-repetitive
10
μs
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.32V; R 0 = 131 m ?
P tot
T C = 25°C
105
W
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.32 V; R 0 = 30 m ?
B4
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
T7 / D7
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.32 V; R 0 = 131 m ?
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I C = 10 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 0.4 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
4.5
2.3
2.7
2.7
6.5
0.6
V
V
V
mA
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.39 V; R 0 = 56 m ?
Thermal Response
T VJ = 125°C
0.6
mA
I GES
t d(on)
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
50
200
nA
ns
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 10 A
V GE = ±15 V; R G = 82 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 600V; V GE = 15 V; I C = 10 A
(per IGBT)
40
290
60
1.2
1.1
600
45
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
1.2 K/W
D11 - D16
Rectifier Diode (typ.)
C th1 = 0.093 J/K; R th1 = 1.212 K/W
C th2 = 0.778 J/K; R th2 = 0.258K/W
T1 - T6 / D1 - D6
IGBT (typ.)
Output Inverter D1 - D6
C th1 = 0.09 J/K; R th1 = 0.954 K/W
C th2 = 0.809J/K; R th2 = 0.246 K/W
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Free Wheeling Diode (typ.)
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
25
15
A
A
C th1 = 0.065 J/K; R th1 = 1.758 K/W
C th2 = 0.639 J/K; R th2 = 0.342 K/W
T7 / D7
IGBT (typ.)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
C th1 = 0.09 J/K; R th1 = 0.954 K/W
C th2 = 0.809 J/K; R th2 = 0.246 K/W
V F
I RM
t rr
I F = 10 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 15 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
2.2
1.6
16
130
2.6
V
V
A
ns
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.043 J/K; R th1 = 2.738 K/W
C th2 = 0.54 J/K; R th2 = 0.462 K/W
R thJC
(per diode)
2.1 K/W
? 2002 IXYS All rights reserved
2-8
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