参数资料
型号: MUBW10-12A7
厂商: IXYS
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.3VCE
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.6nF @ 25V
功率 - 最大: 105W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
其它名称: MUBW1012A7
MUBW 10-12 A7
Brake Chopper T7
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V CES
V GES
V GEM
I C25
I C80
RBSOA
T VJ = 25°C to 150°C
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 80°C
V GE = ± 15 V; R G = 82 ? ; T VJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 μH
1200
± 20
± 30
20
15
I CM = 20
V CEK ≤ V CES
V
V
V
A
A
A
t SC
(SCSOA)
V CE = 720 V; V GE = ± 15 V; R G = 82 ? ; T VJ = 125°C
non-repetitive
10
μs
P tot
T C = 25°C
105
W
B4
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I GES
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
I C = 10 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 0.4 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 10 A
V GE = ±15 V; R G = 82 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MH z
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 10 A
4.5
2.3
2.7
0.3
50
40
290
60
1.2
1.1
600
45
2.7
6.5
0.5
200
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
R thJC
Brake Chopper D7
1.2 K/W
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V RRM
I F25
I F80
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
1200
17
11
V
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I R
I RM
t rr
I F = 10 A; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V R = V RRM ; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 10 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V
1.9
0.07
13
110
2.9
0.06
V
V
mA
mA
A
ns
R thJC
? 2002 IXYS All rights reserved
3-8
3.2 K/W
相关PDF资料
PDF描述
MUBW100-06A8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW15-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW15-06A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW15-12A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW15-12A7 MODULE IGBT CBI E2
相关代理商/技术参数
参数描述
MUBW15-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW15-06A6K 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW15-06A7 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW15-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW15-12A6K 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: