参数资料
型号: MUBW50-12T8
厂商: IXYS
文件页数: 1/7页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 80A
电流 - 集电极截止(最大): 2.7mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 3.5nF @ 25V
功率 - 最大: 270W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 50-12 T8
Converter - Brake - Inverter Module (CBI3)
with Trench IGBT technology
22
NTC
D11
D13
D15
D7
 6
T1
D1
 8
T3
D3
20
T5
D5
8
7
 5
 7
 9
 
2
3
6
5
4
9
D12
D14
D16
 4
T7
  
T2
D2
 2
T4
D4
 3
T6
D6
 0
23
24
Three Phase
Rectifier
Brake
Chopper
Three Phase
Inverter
V RRM   =    600 V V CES   =    200 V
V CES   =    200 V
I FAVM   =   50 A I C25  
=  
55   A
I C25  
=  
80   A
I FSM   =   850 A V CE(sat)   =    .7   V
V CE(sat)   =    .7   V
Input Rectifier Bridge D11 - D16
Application: AC motor drives with
Symbol
V RRM
Conditions
Maximum Ratings
 600 V
? Input from single or three phase grid
? Three phase synchronous or
asynchronous motor
I FAV
I DAVM
I FSM
P tot
T C = 80°C; sine  80°
T C = 80°C; rectangular; d =   / 3 ; bridge
T C = 25°C; t =  0 ms; sine 50 Hz
T C = 25°C
50
 40
850
 25
A
A
A
W
? electric braking operation
Features
? High level of integration - only one
power semiconductor module
required for the whole drive
Symbol
V F
I R
R thJC
Conditions
I F = 50 A;  
 
V R = V RRM ;  
 
(per diode)
T VJ = 25°C
T VJ =  25°C
T VJ = 25°C
T VJ =  25°C
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
 . 5  .3 V
 .05 V
0.05 mA
0.8 mA
 .0 K/W
? IGBT technology with low saturation
voltage, low switching losses and tail
current, high RBSOA and short circuit
ruggedness
? Epitaxial free wheeling diodes with
Hiperfast and soft reverse recovery
? Industry standard package with
insulated copper base plate and
soldering pins for PCB mounting
? Temperature sense included
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2006 IXYS All rights reserved
 -7
相关PDF资料
PDF描述
MUBW50-17T8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW6-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW75-06A8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW75-12T8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW75-17T8 MODULE IGBT CBI E3
相关代理商/技术参数
参数描述
MUBW50-17T8 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW6-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW75-06A8 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW75-12T8 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW75-17T8 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: