参数资料
型号: MUBW50-17T8
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 74A
电流 - 集电极截止(最大): 400µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 4.4nF @ 25V
功率 - 最大: 290W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 50-17 T8
Converter - Brake - Inverter Module (CBI3)
with Trench IGBT technology
21
22
NTC
D11
D13
D15
D7
16
T1
D1
18
T3
D3
20
T5
D5
8
7
15
17
19
1
2
3
6
5
4
9
D12
D14
D16
14
T7
11
T2
D2
12
T4
D4
13
T6
D6
E72873
10
23
24
Three Phase
Rectifier
Brake
Chopper
Three Phase
Inverter
V RRM = 2200 V V CES   = 1700 V
V CES   = 1700 V
I FAVM =
60 A I C25
=
48 A
I C25  
=  74 A
I FSM = 550 A V CE(SAT) =
2.1 V
V CE(SAT) =
2.0 V
Input Rectifier Bridge D11 - D16
Application: AC motor drives with
Symbol
V RRM
Conditions
MAXIMUM RATINGS
2200 V
? INPUT FROM SINGLE OR THREE PHASE GRID
? THREE PHASE SYNCHRONOUS OR    
ASYNCHRONOUS MOTOR
I FAV
I DAVM
I FSM
P tot
T C  = 80°C; SINE 180°
T C  = 80°C; RECTANGULAR; D =  1 / 3 ; BRIDGE
T C  = 25°C; T = 10 MS; SINE 50 HZ
T C  = 25°C
40
130
550
110
A
A
A
W
? ELECTRIC BRAKING OPERATION
Features
? HIGH LEVEL OF INTEGRATION - ONLY ONE   
POWER SEMICONDUCTOR MODULE    
REQUIRED FOR THE WHOLE DRIVE
Symbol
V F
I R
R thJC
Conditions
I F  = 50 A; 
 
V R = V RRM ;  
 
(PER DIODE)
T VJ  =   25°C
T VJ  = 125°C
T VJ  =   25°C
T VJ  = 125°C
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, UNLESS OTHERWISE SPECIfiED)
min. typ. max.
1.25 1.5 V
1.25 V
0.05 mA
0.8 mA
1.1 K/W
? IGBT TECHNOLOGY WITH LOW SATURATION  
VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES AND TAIL  
CURRENT, HIGH RBSOA AND SHORT CIRCUIT  
RUGGEDNESS
? EPITAXIAL FREE WHEELING DIODES WITH  
HIPERFAST AND SOFT REVERSE RECOVERY
? INDUSTRY STANDARD PACKAGE WITH    
  INSULATED COPPER BASE PLATE AND    
  SOLDERING PINS FOR PCB MOUNTING
? TEMPERATURE SENSE INCLUDED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
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