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参数资料
| 型号： | MUBW50-17T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 74A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 400µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-17 T8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
E
[mJ]
30
20
10
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
R G = 8 Ω
T VJ = 125°C
E on
E off
E rec
E
[mJ]
30
25
20
15
10
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
I C /I F = 50 A
T VJ = 125°C
E on
E off
E rec
5
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
I C , I F [A]
FIG. 13 TYP. TURN ON ENERGY & SWITCHING TIMES
VERSUS COLLECTOR CURRENT
R G [ Ω ]
FIG. 14 TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING TIMES
VERSUS COLLECTOR CURRENT
24
20
16
0.7
0.6
0.5
single pulse
diode
IGBT
Q rr
[μC]
12
8
4
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
R G = 8 Ω
T VJ = 125°C
Z thJC 0.4
[K/W] 0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
I F [A]
60
80
100
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
FIG. 15 TYPICAL TURN-OFF CHARACTERISTICS
OF FREE WHEELING DIODE
Temperature Sensor NTC
FIG. 16 TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
JUNCTION TO CASE
IGBT
Diode
10000
1
2
R i
0.0326
0.1311
T i
0.0014
0.0258
R i
0.1941
0.0542
T i
0.0206
0.0016
R
1000
3
4
0.1492
0.1169
0.1099
0.6361
0.2549
0.1461
0.0930
0.5958
[ Ω ]
R
C
R
C
R
C
100
0
30
60
T [°C]
90
120
150
FIG. 17 TYP. NTC RESISTANCE VS. TEMPERATURE
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
7 - 8
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