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参数资料
| 型号： | MUBW50-17T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 74A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 400µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-17 T8
Temperature Sensor NTC
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25
K ?
K
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
V ISO
M d
OPERATING
I ISOL < 1 MA; 50/60 HZ; 1 MIN.
MOUNTING TORQUE (M5)
-40...+125
+150
-40...+125
3400
3 - 6
°C
°C
°C
V~
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R therm-chip
d S
d A
R thCH
Weight
RESISTANCE TERMINAL TO CHIP
CREEPAGE DISTANCE ON SURFACE
STRIKE DISTANCE IN AIR
WITH HEATSINK COMPOUND
12.7
9.6
7
0.02
300
m W
mm
mm
K/W
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
4-8
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PDF描述 |
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参数描述 |
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