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参数资料
| 型号： | MUBW50-17T8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 74A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 400µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.4nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-17 T8
Input Rectifier Bridge D11 - D16
100
80
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
500
400
10 4
I t
[A s]
I F
[A]
60
40
I FSM
[A]
300
200
T VJ = 45°C
2
2
10 3
T VJ = 45°C
T VJ = 150°C
20
100
T VJ = 150°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
50Hz, 80% V RRM
0
0.01 0.1
1
10 2
1
2
3
4 5 6 7 8 9 10
I d(AV)
350
300
250
P tot
200
[W] 150
100
50
V F [V]
FIG. 1 TYP. FORWARD CURRENT VS.
VOLTAGE DROP PER DIODE
t [s]
FIG. 2 SURGE OVERLOAD CURRENT
R thA :
5.0 K/W
2.5 K/W
1.5 K/W
1.0 K/W
0.75 K/W
0.5 K/W
140
120
100
80
[A] 60
40
20
t [ms]
FIG. 3 I 2 T VERSUS TIME PER DIODE
0
0
20
40
60
80
100
120
140 20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
I d(AV)M [A]
0
I amb [°C]
T C [°C]
1.2
FIG. 4 POWER DISSIPATION VERSUS DIRECT OUTPUT CURRENT
& AMBIENT TEMPERATURE, SIN 180°
FIG. 5 MAX. FORWARD CURRENT VS.
CASE TEMPERATURE
P V
R th1
R th2
1.0
T J
C th1
C th2
T C
0.8
Z thJC
0.6
R i
T i
[K/W]
0.4
0.2
1
2
3
4
0.06
0.024
0.586
0.114
0.0085
0.001
0.045
0.85
0.0
1
10
100
1000
10000
5
0.317
0.35
t [ms]
FIG. 6 TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE JUNCTION TO CASE
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
5-8
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PDF描述 |
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