参数资料
型号: MUBW50-17T8
厂商: IXYS
文件页数: 8/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 74A
电流 - 集电极截止(最大): 400µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 4.4nF @ 25V
功率 - 最大: 290W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 50-17 T8
Brake Chopper T7 / D7
60
50
60
50
I C
[A]
40
30
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F
[A]
40
30
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
20
10
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V CE [V]
FIG. 18   TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTIC
V F [V]
FIG. 19   TYP. FORWARD CHARACTERISTICS OF BRAKE DIODE
30
20
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
R G = 8 Ω
T VJ = 125°C
E on
E off
30
25
20
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
I C /I F = 50 A
T VJ = 125°C
E on
E
[mJ]
10
E rec
E
[mJ]
15
10
E off
E rec
5
0
0
20
40 60
I C , I F [A]
80
100
0
0
20
40
R G [ Ω ]
60
80
15
FIG. 20  TYP. TURN ON ENERGY & SWITCHING TIMES  
  VERSUS COLLECTOR CURRENT
1.0
FIG. 21  TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING TIMES  
  VERSUS COLLECTOR CURRENT
I CE = 30 A
V CE = 900 V
0.8
single pulse
diode
V GE
10
Z thJC 0.6
IGBT
[V]
5
[K/W]
0.4
0.2
0
0 50 100 150 200 250
Q G [nC]
FIG. 22  TYP. TURN ON GATE CHARGE
300
350
0.0
1 10 100 1000
t [ms]
FIG. 23  TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
10000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
  JUNCTION TO CASE
20090826a
8-8
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