参数资料
型号: MUBW50-17T8
厂商: IXYS
文件页数: 2/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 74A
电流 - 集电极截止(最大): 400µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 4.4nF @ 25V
功率 - 最大: 290W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 50-17 T8
Output Inverter T1 - T6
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
V CES
Conditions
T VJ  = 25°C TO 150°C
Maximum Ratings
1700 V
Conduction
V GES
CONTINUOUS
± 20
V
I C25
I C80
I CM
P tot
T C  = 25°C
T C  = 80°C
T C  = 80°C; T P = 1 ms
T C  = 25°C
74
53
100
290
A
A
A
W
I
V 0
R 0
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, UNLESS OTHERWISE SPECIfiED)
min. typ. max.
IGBT  (TYP. AT V GE  = 15 V; T J  = 125°C)
T1-T6
V 0 = 1.0 V; R 0 = 25 m W
V CE(sat)
I C  = 50 A; V GE  = 15 V 
 
T VJ  =   25°C
T VJ  = 125°C
2.0
2.4
2.4
V
V
T7
V 0 = 1.0 V; R 0 = 28 m W
V GE(th)
I CES
I GES
C ies
Q Gon
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
I C  = 2 MA; V GE = V CE
V CE  = V CES ; V GE  = 0 V  T VJ  =   25°C
                                           T VJ  = 125°C
V CE  = 0 V; V GE = ± 20 V
V CE  = 25 V; V GE  = 0 V; F = 1 MHZ
V CE  = 900 V; V GE  = 15 V; I C  = 75 A
INDUCTIVE LOAD, T VJ  = 125°C
V CE  = 900 V; I C = 50 A
V GE = ± 15 V; R G = 8 ?
5
1.0
4.4
600
250
50
500
480
11
12
6.5
0.4
400
V
mA
mA
nA
nF
NC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
Diode  (TYP. AT T J  = 125°C)
D1-D6
V 0 = 1.35 V; R 0 = 15 m W
D7
V 0 = 1.65 V; R 0 = 37 m W
D11-D16
V 0 = 0.83 V; R 0 = 4.1 m W
RBSOA
t SC
(SCSOA)
R thJC
I C  = I CM ; V GE = 15 V
R G  = 27  ? ; T VJ  = 125°C
V CE  = 1000 V; V GE = ± 15 V; R G  = 27  ?
t P <  10 μS; NON-REPETITIVE; T VJ  = 125°C
V CEK  < V CES - L S di/dt
10
0.43
V
μs
K/W
Output Inverter D1 - D6
Symbol
Conditions
MAXIMUM RATINGS
I F25
I F80
T C  = 25°C
T C  = 80°C
56
39
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V F
I F  = 50 A; 
 
T VJ  =   25°C
T VJ  = 125°C
2.0
2.0
2.4
V
V
I RM
Q rr
t rr
E rec
R thJC
I F  = 50 A; DI F /DT = -1200 A/μS;
T VJ  = 125°C; V R  = 900 V; V GE = 0 V
(PER DIODE)
80
20
650
9
0.65
A
μC
ns
mJ
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
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