参数资料
型号: MUBW6-06A6
厂商: IXYS
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E1
标准包装: 10
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.5V @ 15V,4A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 7A
电流 - 集电极截止(最大): 10µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.34nF @ 25V
功率 - 最大: 38W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E1
供应商设备封装: E1
MUBW 6-06 A6
Input Rectifier Bridge D8 - D13
50
300
1000
A
A
A 2 s
800
V R = 0 V
40
typ.
lim.
250
I FSM
50Hz, 80%V RRM
600
I t
I F
30
200
T VJ = 45 ° C
T VJ = 180 ° C
2
400
T VJ = 180 ° C
T VJ = 25 ° C
150
20
100
200
T VJ =45 ° C
10
0
50
0
100
T VJ =180 ° C
V
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
10 -3
10 -2
10 -1
10 0 s
10 1
1
2
3
4
8 9
5 6 7 ms 10
V F
Forward characteristics
t
Surge overload current
I FSM : crest value, t: duration
10
t
I 2 t versus time (1-10 ms)
(Z thJH is measured using 50 μm
thermal grease)
1
D =0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
0.1
0.01
Z thJH [K/W]
D = 0.2
D = 0.5
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
Transient thermal resistance junction to heatsink
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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