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参数资料
| 型号： | MWI100-06A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 130A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 410W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 100-06 A8
IGBT Modules
I C25
= 130 A
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
13, 21
V CES = 600 V
V CE(sat) typ. = 2.0 V
Preliminary data
1
2
5
6
9
10
19
17
15
3
4
7
8
11
12
See outline drawing for pin arrangement
E72873
14, 20
IGBTs
Features
Symbol
V CES
V GES
I C25
Conditions
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
Maximum Ratings
600 V
± 20 V
130 A
€ € NPT IGBT technology
€ € low saturation voltage
€ € low switching losses
€ € switching frequency up to 30 kHz
€ € square RBSOA, no latch up
€ € high short circuit capability
€ € positive temperature coefficient for
I C80
T C = 80°C
88
A
easy parallelling
RBSOA
t SC
(SCSOA)
V GE = ± 15 V; R G = 2.2 Ω ; T VJ = 125°C I CM = 200
Clamped inductive load; L = 100 μH V CEK ≤ V CES
V CE = V CES ; V GE = ± 15 V; R G = 2.2 Ω ; T VJ = 125°C 10
non-repetitive
A
μs
€ € MOS input, voltage controlled
€ € ultra fast free wheeling diodes
€ € solderable pins for PCB mounting
€ € package with copper base plate
Advantages
P tot
Symbol
T C = 25°C
Conditions
410 W
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
€ € space savings
€ € reduced protection circuits
€ € package designed for wave soldering
Typical Applications
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I C = 100 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 1.5 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
4.5
2.0
2.3
2.5
6.5
1.2
V
V
V
mA
€ € AC motor control
€ € AC servo and robot drives
€ € power supplies
T VJ = 125°C
0.9
mA
I GES
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 300 V; I C = 100 A
V GE = ±15 V; R G = 2.2 Ω
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 300 V; V GE = 15 V; I C = 125 A
25
11
150
30
1.0
2.9
4.3
340
400
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
R thJC
(per IGBT)
0.3 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
1-2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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