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参数资料
| 型号： | MUN5116T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | MUN5116T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (K)
R2 (K)
Shipping
MUN5111T1
SC–70/SOT–323
6A
10
3000/Tape & Reel
MUN5112T1
SC–70/SOT–323
6B
22
3000/Tape & Reel
MUN5113T1
MUN5113T3
SC–70/SOT–323
6C
47
3000/Tape & Reel
10,000/Tape & Reel
MUN5114T1
SC–70/SOT–323
6D
10
47
3000/Tape & Reel
MUN5115T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6E
10
∞
3000/Tape & Reel
MUN5116T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6F
4.7
∞
3000/Tape & Reel
MUN5130T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6G
1.0
3000/Tape & Reel
MUN5131T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6H
2.2
3000/Tape & Reel
MUN5132T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6J
4.7
3000/Tape & Reel
MUN5133T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6K
4.7
47
3000/Tape & Reel
MUN5134T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6L
22
47
3000/Tape & Reel
MUN5135T1 (Note 3.)
SC–70/SOT–323
6M
2.2
47
3000/Tape & Reel
MUN5136T1
SC–70/SOT–323
6N
100
3000/Tape & Reel
MUN5137T1
SC–70/SOT–323
6P
47
22
3000/Tape & Reel
3. New devices. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5112T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5137T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5135T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5130T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5130 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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| MUN5130DW1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5130DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5130DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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