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参数资料
| 型号： | MUN5131T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | MUN5131T3 |
MUN5111T1 SERIES
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5114T1
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
0
246
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8
1015
2025
3035
4045
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
V
CE(sat)
,MA
X
IMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(p
F)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°C
25
°C
TA =75°C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
15
20 40
50 60 70
80 90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
25
°C
IC/IB = 10
TA = –25°C
TA =75°C
25
°C
–25
°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
25
°C
TA = –25°C
75
°C
75
°C
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