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参数资料
| 型号： | MUN5216T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 21/39页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5216T3 |
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8–9
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
–A–
–B–
G
P 7 PL
14
8
7
1
M
0.25 (0.010)
B M
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
–T–
F
R X 45
SEATING
PLANE
D 14 PL
K
C
J
M
_
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
8.55
8.75
0.337
0.344
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.228
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
CASE 751A–03
SO–14
PLASTIC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
18
16
9
SEATING
PLANE
F
J
M
R X 45
_
G
8 PL
P
–B–
–A–
M
0.25 (0.010)
B S
–T–
D
K
C
16 PL
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.80
10.00
0.386
0.393
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.229
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
CASE 751B–05
SO–16
PLASTIC
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参数描述 |
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| MUN5230DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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