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参数资料
| 型号： | MUN5216T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/39页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5216T3 |
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Tape and Reel Specifications
6–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
EMBOSSED TAPE AND REEL DATA FOR DISCRETES
A
Full Radius
T Max
G
20.2 mm Min
(.795
″)
1.5 mm Min
(.06
″)
13.0 mm
± 0.5 mm
(.512
″ ± .002″)
50 mm Min
(1.969
″)
Outside Dimension
Measured at Edge
Inside Dimension
Measured Near Hub
Size
A Max
G
T Max
8 mm
330 mm
(12.992
″)
8.4 mm + 1.5 mm, – 0.0
(.33
″ + .059″, –0.00)
14.4 mm
(.56
″)
12 mm
330 mm
(12.992
″)
12.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.49
″ + .079″, –0.00)
18.4 mm
(.72
″)
16 mm
360 mm
(14.173
″)
16.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.646
″ + .078″, –0.00)
22.4 mm
(.882
″)
24 mm
360 mm
(14.173
″)
24.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.961
″ + .070″, –0.00)
30.4 mm
(1.197
″)
Reel Dimensions
Metric Dimensions Govern — English are in parentheses for reference only
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5311DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5313DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5314DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5315DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5330DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5230 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5230DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5230DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5230DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5230T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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