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参数资料
| 型号： | MUR1100EG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 1A 1000V DO-41 |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-41 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.75V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 100ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1566 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MUR1100EG-ND MUR1100EGOS |
MUR180E, MUR1100E
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
See Note 3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 1.0 A, T
J
= 150
°C)
(iF
= 1.0 A, T
J
= 25
°C)
vF
1.50
1.75
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TJ
= 100
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
600
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 Amp/
s)
(IF
= 0.5 A, i
R
= 1.0 Amp, I
REC
= 0.25 A)
trr
100
75
ns
Maximum Forward Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 100 Amp/
s, Recovery to 1.0 V)
tfr
75
ns
Controlled Avalanche Energy (See Test Circuit in Figure 6)
WAVAL
10
mJ
Typical Peak Reverse Recovery Current
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
IRM
1.7
A
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
ORDERING INFORMATION
Device
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MUR180ERL
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5000 / Tape & Reel
MUR180ERLG
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MUR1100E
Axial Lead*
1000 Units / Bag
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Axial Lead*
5000 / Tape & Reel
MUR1100ERLG
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?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*These packages are inherently Pb?Free.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR854G | DIODE FAST REC 3A 400V DO-201AD |
| P51-200-A-D-MD-20MA-000-000 | SENSOR 200PSI 7/16-20 UNF 4-20MA |
| GCM06DRSD | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| REC3-4815SRW/H2/A/CTRL | CONV DC/DC 3W 36-72VIN 15VOUT |
| REC3-4809DRWZ/H6/C/M | CONV DC/DC 3W 18-72VIN +/-09VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUR1100EG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FAST RECOVERY DIODE 1A 1KV AXIAL |
| MUR1100ERL | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR1100ERLG | 功能描述:整流器 1000V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR1100-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:1A ULTRA FAST EFFICIENT RECTIFIER |
| MUR1100PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
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