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参数资料
| 型号： | MUR115 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 1A 150V DO-41 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 875mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 150V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
MUR120 Series
http://onsemi.com
4
MUR130, MUR140, MUR160
Figure 6. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.3 0.90.5 1.30.7
1.1 1.5 1.9
3.0
0.01
0.03
0.02
0.2
0.1
10
2.0
0.7
0.3
0.05
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
2.3
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0 200100 300 400
100
0.01
0.004
1.0
10
TJ
= 175
°C
I
R
700
Figure 7. Typical Reverse Current*
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
P
F(AV)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100 200
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
I
250
Figure 8. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 2)
Figure 9. Power Dissipation
0
5.0
10
20
2.0
10 20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Typical Capacitance
0.07
1.0
7.0
1.7 2.1
100°C
TJ= 175°C
25°C
600
500
0.1
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
150
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these same curves if VR
is sufficiently below
rated VR.
C, CAPACITANCE (pF)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
TJ
= 25
°C
i
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
30 40 50
3.0
7.0
TJ
= 175
°C
RATED VR
RJA
= 50
°C/W
dc
SQUARE WAVE
IPK
20
IAV
SQUARE WAVE
dc
5.0
10
400
0.04
4.0
40
0.4
(CAPACITIVE LOAD)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GRM188R71H392KA01D | CAP CER 3900PF 50V 10% X7R 0603 |
| ESC22DTEN | CONN EDGECARD 44POS .100 EYELET |
| EBC05DRXN-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| 5745783-2 | CONN D-SUB RCPT R/A 25POS 30GOLD |
| A-DF09-HOOD-WP-R | CONN DSUB IP67 9POS FMALE W/HOOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUR115G | 功能描述:整流器 150V 1A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MUR115GP | 制造商:CHENYI 制造商全称:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:1.0Amp glass passivated super fast recovery rectifier 50to600 volts |
| MUR115GP-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| MUR115-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:1A ULTRA FAST EFFICIENT RECTIFIER |
| MUR115PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
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