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参数资料
| 型号： | MUR115S |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | MUR115S |
Version:D11
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (MUR105S THRU MUR160S)
FIG.1 MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING
CURVE
0
0.5
1
1.5
0
25
50
75
100
125
150
175
LEAD TEMPERATURE (
oC)
AVERAG
E
FO
RW
ARD
CURRENT
(
A
)
FIG. 2 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
10
20
30
40
50
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
PEAK
FO
RW
ARD
SURG
E
CURRENT
(
A
)
FIG. 7 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
0
10
20
30
40
50
60
70
0
4
8
12
16
20
24
REVERSE VOLTAGE (V)
C
APAC
IT
AN
C
E
(
pF
)
MUR105S-120S
MUR140S-160S
FIG. 3 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
FORWARD VOLTAGE (V)
IN
STANTANEO
U
S
FO
RW
ARD
CURRENT(
A
)
MUR105S-120S
TA=150℃
TA=25℃
FIG. 5 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE.(%)
IN
STANTANEO
U
S
REVERSE
CURRENT
(
uA)
TA=25℃
TA=150℃
MUR105S-120S
FIG. 4 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
FORWARD VOLTAGE (V)
IN
STANTANEO
U
S
FO
RW
ARD
CURRENT(
A
)
MUR140S-160S
TA=150℃
TA=25℃
FIG. 6 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE.(%)
IN
STANTANEO
U
S
REVERSE
CURRENT
(
uA)
TA=25℃
TA=150℃
MUR140S-160S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR115 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MUR140 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MUR1515R | 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MUR1510R | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MUR160A | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUR115-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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| MUR120/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier |
| MUR120_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifiers |
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