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参数资料
| 型号： | MUR180E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 1A 800V DO-41 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.75V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 100ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 800V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MUR180EOS |
MUR180E, MUR1100E
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.3 0.90.5 1.30.7
1.1 1.5 1.9
3.0
0.01
0.03
0.02
0.2
0.1
20
2.0
0.7
0.3
0.05
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
2.3
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0 300100 400 1000200 500 600
700
800 900
1000
0.1
0.01
10
100
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 2. Typical Reverse Current*
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
P
F(AV)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100 200
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
I
250
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 3)
Figure 4. Power Dissipation
0
3.0
10
20
2.0
10 20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Typical Capacitance
0.07
1.0
7.0
1.7 2.1
100°C
TJ= 175°C
25°C
1.0
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
150
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be
estimated from these same curves if VR
is sufficiently below rated V
R.
C, CAPACITANCE (pF)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
TJ
= 25
°C
i
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
30 40 50
7.0
5.0
TJ
= 175
°C
RATED VR
RJA
= 50
°C/W
dc
SQUARE WAVE
(CAPACITIVELOAD)
PK
I
20
AV
I
SQUARE WAVE
dc
5.0
10
10
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