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参数资料
| 型号： | MUR2020CTPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | MUR2020CTPBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94079
2
Revision: 18-Jul-08
MUR2020CTPbF
Vishay High Power Products
Ultrafast Rectifier,
2 x 10 A FRED Pt
DYNAMIC RECOVERY CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
Reverse recovery time
trr
IF = 1.0 A, dIF/dt = 50 A/s, VR = 30 V
-
35
ns
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC = 0.25 A
-
25
TJ = 25 °C
IF = 10 A
dIF/dt = 200 A/s
VR = 160 V
-21
-
TJ = 125 °C
-
35
-
Peak recovery current
IRRM
TJ = 25 °C
-
1.9
-
A
TJ = 125 °C
-
4.8
-
Reverse recovery charge
Qrr
TJ = 25 °C
-
25
-
nC
TJ = 125 °C
-
78
-
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ, TStg
- 65
-
175
°C
Thermal resistance,
junction to case
per leg
RthJC
--
2.5
°C/W
total device
-
1.25
Thermal resistance,
junction to ambient per leg
RthJA
--
50
Thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, flat, smooth and
greased
-0.5
-
Weight
-2.0
-
g
-0.07
-
oz.
Mounting torque
6.0
(5.0)
-
12
(10)
kgf cm
(lbf in)
Marking device
Case style TO-220AB
MUR2020CT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR3020PT | 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| MUR3060PT | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
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| MURB1620CTTRRP | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURB1620CTPBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MUR2020R | 功能描述:整流器 200V 20A UltraFast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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