参数资料
型号: MURD330T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 96K
描述: DIODE ULTRA FAST 3A 300V DPAK
标准包装: 1
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 300V
电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 300V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MURD330T4GOSCT
MURD330T4G, SURD8330T4G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Case
RJC
2
°C/W
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Ambient (Note 1)
RJA
49
°C/W
1. Rating applies when surface mounted on a 700 mm2, 1 oz Cu heat spreader.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop
(IF
= 3 A, T
J
= 25
°C)
(iF
= 3 A, T
J
= 150
°C)
VF
1.15
0.92
V
Maximum Instantaneous Reverse Current
(TJ
= 25
°C, 300 V)
(TJ
= 150
°C, 300 V)
IR
5
500
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1 A, di/dt = 50 A/
s, VR
= 30 V, T
J
= 25
°C)
trr
50
ns
ESD Ratings:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
> 400
> 8000
V
Typical Peak Reverse Recovery Current
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
IRM
1.5
A
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.10.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
1.0
10.0
100.0
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
25°C
175°C
150°C
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.10.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
1.0
10.0
100.0
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
25°C
175°C
150°C
Figure 2. Maximum Forward Voltage
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