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参数资料
| 型号： | MURD330T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 3A 300V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 300V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MURD330T4GOSCT |
MURD330T4G, SURD8330T4G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 3. Typical Reverse Voltage Figure 4. Maximum Reverse Voltage
1.0E?10
0.0
1.0E?09
1.0E?08
1.0E?07
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
50
100 150 200 250 300
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
25°C
175°C
150°C
1.0E?10
0.0
1.0E?09
1.0E?08
1.0E?07
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
50
100 150 200 250 300
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
25°C
175°C
150°C
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
04020 10060
80
Figure 5. Typical Capacitance
C, CAPACITANCE (pF)
100
10
120 160140 180 200
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Io, AVERAGE FORWARD CURRENT
P
o
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
SQUARE
WAVE
DC
Figure 6. Power Dissipation
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
020406080100120 140 160 180 200
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
100
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
6.0
110 120 130 140 150 160 170 180
Figure 7. Current Derating, Case
Figure 8. Current Derating, Ambient
SQUARE
WAVE
DC
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
SQUARE
WAVE
RJC
= 2
°C/W
TJ
= 175
°C/W
DC
RJC
= 2
°C/W
TJ
= 175
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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