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参数资料
| 型号： | MURHB840CT |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.2V @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 28ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MURHB840CTOS |
MURHB840CTG, MURHB840CTT4G, SURHB8840CTT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
400
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 120
°C) Total Device
IF(AV)
4.0
8.0
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 120
°C)
IFM
8.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
100
A
Controlled Avalanche Energy
WAVAL
20
mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
(Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
RJC
3.0
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 150
°C)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 25
°C)
vF
1.9
2.2
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated DC Voltage, TC
= 150
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
iR
500
10
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
trr
28
ns
Typical Peak Reverse Recovery Current
(IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
IRM
0.7
A
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤2.0%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURHB860CTG | DIODE ULTRA FAST 600V 4A D2PAK |
| MURHF860CT | DIODE ULT FAST 600V 4A TO-220FP |
| MW6S004NT1 | MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 |
| MW6S010GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW |
| MW6S010MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURHB840CT/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MEGAHERTZ ?Power Rectifier |
| MURHB840CT_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 400 VOLTS |
| MURHB840CTG | 功能描述:整流器 400V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHB840CTT4 | 功能描述:整流器 400V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHB840CTT4G | 功能描述:整流器 400V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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