参数资料
型号: MURHB860CTG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 114K
描述: DIODE ULTRA FAST 600V 4A D2PAK
产品变化通告: Product Obsolescence 30/Sept/2009
标准包装: 50
系列: MEGAHERTZ™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.8V @ 4A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 4A
电压 - (Vr)(最大): 600V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
MURHB860CT
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
RJC
3.0
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 150
°C)
(iF
= 4.0 A, T
C
= 25
°C)
vF
2.5
2.8
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated DC Voltage, TC
= 150
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
iR
500
10
A
Maximum Reverse Recovery Time (IF
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
trr
35
ns
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤2.0%
相关PDF资料
PDF描述
MURHF860CT DIODE ULT FAST 600V 4A TO-220FP
MW6S004NT1 MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5
MW6S010GNR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW
MW6S010MR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2
MX3AWT-A1-R250-000D51 LED COOL WHITE 6500K 2PLCC
相关代理商/技术参数
参数描述
MURHB860CTT4 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURHB860CTT4G 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURHD560T4 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ TM Power Rectifier
MURHD560T4_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier
MURHD560T4_11 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ? Power Rectifier