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参数资料
| 型号： | MURHD560T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 107K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 5A 600V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | MEGAHERTZ™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.7V @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MURHD560T4G, SURHD8560T4G, MURHD560W1T4G, SURHD8560W1T4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
600
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 159
°C)
IF(AV)
5.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
50
A
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case
RJC
2.5
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
RJA
49.5
°C/W
1. Rating applies when surface mounted on a 1.5 mm FR4 PC board with a 1 oz. thick, 700 mm2
Cu area.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 5.0 Amps, T
C
= 25
°C)
(IF
= 5.0 Amps, T
C
= 125
°C)
VF
2.7
1.65
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, TC
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TC
= 125
°C)
IR
10
70
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1.0 Amp, di/dt = 50 Amps/
s, VR
= 30 V, T
J
= 25
°C)
trr
30
ns
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURHS160T3G | DIODE ULT FAST 1A 600V SMB |
| MURS120-13-F | DIODE SUPER FAST 200V 1A SMB |
| MURS160-13-F | DIODE SUPER FAST 600V 1A SMB |
| MURS160/2 | DIODE FAST 1A 600V SMB |
| MURS205T3G | DIODE ULTRA FAST 2A 50V SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURHD560W1T4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MEGAHERTZ Power Rectifier |
| MURHD560W1T4G | 功能描述:整流器 MHZ 5 AMP 600V UL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHF860CT | 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHF860CT/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier |
| MURHF860CT_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 600 VOLTS |
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