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参数资料
| 型号： | MURHD560T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 107K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 5A 600V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | MEGAHERTZ™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.7V @ 5A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MURHD560T4G, SURHD8560T4G, MURHD560W1T4G, SURHD8560W1T4G
http://onsemi.com
4
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
110 140120 150130 170160 180
100
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
9
5
0
SQUARE WAVE
dc
Figure 7. Current Derating
8
4
7
3
6
2
1
RJC
= 2.5
°C/W
TJ
= 175
°C
10
10
tp, SQUARE WAVE PULSE DURATION (s)
Figure 8. Typical Non?Repetitive Surge
Current
I
100 10,0001,000
, NON-REPETITIVE SURGE CURRENT (A)
FSM
1,000
10,000
* Typical performance based on a limited sample size. ON Semiconductor
does not guarantee ratings not listed in the Maximum Ratings table.
100
R
(t)
, TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Figure 9. Thermal Response, Junction to Case
1000
0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1
0.000001
t, TIME (s)
10
1
0.1
0.01
Single Pulse
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.00001
100
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
R
(t)
, TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Figure 10. Thermal Response, Junction to Ambient
1000
0.0001 0.001 0.01 1.0 100.1
0.000001
t, TIME (s)
100
1
0.1
0.01
Single Pulse
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.00001
100
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURHS160T3G | DIODE ULT FAST 1A 600V SMB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MURHF860CT | 功能描述:整流器 600V 8A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MURHF860CT/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier |
| MURHF860CT_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 600 VOLTS |
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