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参数资料
| 型号： | MURS120-E3/2CT |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MURS120-E3/2CT |
Document Number 88687
03-Jul-06
www.vishay.com
3
MURS120
Vishay General Semiconductor
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.01
0.1
10
1
80
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.2
Tj = 100 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
60
40
20
0
100
80
0.001
0.01
1
0.1
10
100
Tj = 100 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
0.1
1
10
100
1000
Tj = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
DO-214AA (SMB)
0 (0)
Cathode Band
0.085 MAX.
(2.159 MAX.)
0.220 REF
0.086 MIN.
(2.18 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MURS320/59T | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
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| MSP1N6105US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MSP1N6109US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MSP1N6112US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MURS120HE3/2CT | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0A 25ns 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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