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参数资料
| 型号： | MURS320/59T |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MURS320/59T |
www.vishay.com
2
Document Number 88689
09-Aug-05
MURS320
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified#
Notes:
(1) Pulse test: tp = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
MURS320
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage (1)
at IF = 3.0 A,
at IF = 4.0 A,
at IF = 3.0 A,
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
VF
0.875
0.890
0.710
V
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (1)
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
IR
5.0
150
A
Maximum reverse recovery
time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
25
ns
Maximum reverse recovery
time
at IF = 1.0 A, di/dt = 50 A/s,
VR = 30 V, Irr = 10 % IRM
trr
35
ns
Maximum forward recovery
time
IF = 1.0 A, di/dt = 100 A/s,
Rec. to 1.0 V
tfr
25
ns
Parameter
Symbol
MURS320
Unit
Typical thermal resistance junction to ambient
RθJL
11
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
4.0
6.0
8.0
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
25
0
50
75
100
125
1
100
10
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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