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参数资料
| 型号： | MURS320/59T |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MURS320/59T |
MURS320
Document Number 88689
09-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Forward Voltage
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.01
0.1
10
1
80
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
TJ = 100 °C
TJ = 25 °C
TJ = 175 °C
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.01
0.001
0.1
10
1
100
1000
TJ = 175 °C
TJ = 100 °C
TJ = 25 °C
020
40
60
80
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
0.1
1
10
100
1000
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
J
u
nction
Capacitance
(pF)
Reverse Voltage (V)
0.260 (6.60)
0.280 (7.11)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.2)
0.305 (7.75)
0.320 (8.13)
0.220 (5.59)
0.246 (6.22)
0.079 (2.06)
0.103 (2.62)
0.114 (2.90)
0.126 (3.20)
Cathode Band
DO-214AB (SMC)
0.185 MAX.
(4.69 MAX.)
0.320 REF
0.126 MIN.
(3.20 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
0 (0)
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