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参数资料
| 型号： | MURS320T3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 3A 200V SMC |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 875mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | ULTRAFSTRECA-KIT-ND - KIT ULTRAFAST RECT SMD DESIGN |
| 其它名称： | MURS320T3OSCT |
MURS320T3G, SURS8320T3G, MURS340T3G, SURS8340T3G, MURS360T3G,
SURS8360T3G
http://onsemi.com
3
MURS320T3G/SURS8320T3G
Figure 1. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.3 0.60.4 0.80.5
0.7
3.0
0.2
0.1
2.0
0.7
0.3
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
F
0.9
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
06020 80 20040 100 120
140
160 180
40
20
80
0.008
0.004
0.002
0.8
0.4
0.2
4.0
2.0
8.0
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 2. Typical Reverse Current*
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
190
90
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F(AV)
0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
100 110 120 130 140 150 160 170 180
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0 1.50.5 5.01.0
2.0 4.52.5
3.0
3.5
4.0
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
10
7.0
6.0
P
Figure 3. Power Dissipation
Figure 4. Current Derating, Case
01020 30 40 10050 60 70 80 90
20
30
40
60
200
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Typical Capacitance
1.0
1.0 1.1 1.2
100°C
TJ= 175°C
25°C
0.08
0.04
0.02
, REVERSE CURRENT ( A)
TJ
= 100
°C
TJ
= 25
°C
9.0
8.0
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these same curves if VR
is sufficiently below
rated VR.
RATED VOLTAGE APPLIED
RJL
= 11
°C/W
TJ
= 175
°C
C, CAPACITANCE (pF)
SQUARE WAVE
dc
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 135 pF
dc
SQUARE WAVE
(CAPACITIVELOAD)
PK
I
20
AV
I
10
5.0
i
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W))
F(AV)
80
100
0.2
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PDF描述 |
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