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参数资料
| 型号： | MURS320T3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 3A 200V SMC |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 875mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | ULTRAFSTRECA-KIT-ND - KIT ULTRAFAST RECT SMD DESIGN |
| 其它名称： | MURS320T3OSCT |
MURS320T3G, SURS8320T3G, MURS340T3G, SURS8340T3G, MURS360T3G,
SURS8360T3G
http://onsemi.com
4
MURS340T3G, SURS8340T3G, MURS360T3G, SURS8360T3G
Figure 6. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.5 1.10.7 1.50.9
1.3
3.0
0.05
0.02
2.0
0.7
0.07
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
F
1.7
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0 300100 700200 400
500
600
20
40
80
0.008
0.004
0.8
0.2
0.4
2.0
4.0
8.0
TJ
= 175
°C
I
R
Figure 7. Typical Reverse Current*
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
0 1.50.5 5.01.0
2.0 4.52.5
3.0
3.5
4.0
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
10
7.0
6.0
P
Figure 8. Power Dissipation
1.0
1.9 2.1 2.3
100°C
TJ= 175°C
25°C
0.08
0.04
0.02
, REVERSE CURRENT ( A)
TJ
= 100
°C
TJ
= 25
°C
9.0
8.0
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these same curves if VR
is sufficiently below
rated VR.
dc
SQUARE WAVE
10 5.0
i
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
F(AV)
0.3
0.03
0.1
400
200
0.3
0.2
(CAPACITIVE LOADS)
IPK
20
IAV
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
90
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
F(AV)
0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
100 110 120 130 140 150 160 170
Figure 9. Current Derating, Case
01020 30 40 10050 60 70 80 90
20
30
40
60
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 10. Typical Capacitance
C, CAPACITANCE (pF)
SQUARE WAVE
dc
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 75 pF
80
100
10
50
70
90
70 80
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PDF描述 |
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