- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录628 > MWI100-12A8 (IXYS)MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MWI100-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 6.3mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 640W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI 100-12 A8
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
200
130
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 100 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 120 A; di F /dt = -750 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
2.3
1.7
82
200
2.6
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.3 V; R 0 = 12 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.27 V; R 0 = 4.3 m Ω
R thJC
(per diode)
0.3 K/W
Thermal Response
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
V ISOL
M d
operating
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+125
+150
-40...+125
2500
3-6
° C
° C
° C
V~
Nm
IGBT (typ.)
C th1 = 0.397 J/K; R th1 = 0.141 K/W
C th2 = 2.243 J/K; R th2 = 0.049 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.301 J/K; R th1 = 0.238 K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th2 = 2.005 J/K; R th2 = 0.062 K/W
min. typ. max.
R pin-chip
1.8
m Ω
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
10
10
0.01
300
mm
mm
K/W
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI100-12E8 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
| MWI100-12T8T | MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3 |
| MWI15-12A6K | MOD IGBT RBSOA SIXPACK E1 |
| MWI15-12A7 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI150-06A8 | TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI100-12A8T | 功能描述:分立半导体模块 100 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI100-12E8 | 功能描述:分立半导体模块 100 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI100-12T8T | 功能描述:分立半导体模块 100 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI150-06A | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MWI150-06A8 | 功能描述:分立半导体模块 150 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。