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参数资料
| 型号： | MWI30-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 45A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 30-06 A7
MWI 30-06 A7T
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
36
24
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 30 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 15 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 300 V; V GE = 0 V
2.0
1.5
13
90
2.2
1.7
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 0.95 V; R 0 = 42 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.09 V; R 0 = 12 m Ω
R thJC
(per diode)
2.11 K/W
Thermal Response
Temperature Sensor NTC (MWI ... A7T version only)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k Ω
K
IGBT (typ.)
C th1 = 0.156 J/K; R th1 = 0.545 K/W
Module
C th2 = 1.164 J/K; R th2 = 0.155 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
C th1 = 0.065 J/K; R th1 = 0.636 K/W
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
° C
° C
C th2 = 1.766 J/K; R th2 = 0.344 K/W
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
2500
2.7 - 3.3
V~
Nm
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R pin-chip
5
m Ω
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Higher magnification on page B3 - 72
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1857CAH1000 | MODULE SCR/DIODE 55A 380VAC |
| MK23-90-B-1 | SENSOR REED SPDT-CHANGE SMD |
| VX-52-1C22 | SWITCH SNAP 5A SPDT .187 QC |
| VX-51-1C23 | SWITCH LEVER SPDT 5A .187QC |
| DC2C-A1LB | SWITCH LEVER SEALED 10A SS TERM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI30-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI30-12E6K | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI311(3)UK | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:CHARGER UNI LI-ION/LI-POLY UK PLUG 制造商:SPC Multicomp 功能描述:CHARGER, UNI LI-ION/LI-POLY, UK PLUG |
| MWI35-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
| MWI35-12A7 | 功能描述:分立半导体模块 35 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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