参数资料
型号: MWI60-12T6K
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
标准包装: 10
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.3V @ 15V,35A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 58A
电流 - 集电极截止(最大): 500µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2.53nF @ 25V
功率 - 最大: 200W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E1
供应商设备封装: E1
MWI 60-12T6K
Outline Drawing
Product Marking
Dimensions in mm (  mm = 0.0394“)
Ordering
Part Name
Marking on Product Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
MWI 60- 2T6K
MWI60- 2T6K
Box
 0
500  52
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
2007   3a
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PDF描述
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MWI75-06A7T 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MWI75-12A5 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack
MWI75-12A8 功能描述:分立半导体模块 IGBT MOD 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI75-12A8T 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: