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参数资料
| 型号： | MX857BTR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LEVEL SHIFTER 1CH HS 8-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 逻辑功能： | 电平移位器 |
| 位数： | 1 |
| 输入类型： | CMOS/TTL |
| 输出类型： | 电压 |
| 通道数： | 1 |
| 输出/通道数目： | 2 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/是 |
| 传输延迟（最大）： | 20ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
INTEGRATED CIRCUITS DIVISION
MX856/MX857
R01
www.ixysic.com
5
1.7 ESD Warning
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges can readily accumulate on test equipment and
the human body in excess of 4000 Volts. This energy can discharge without detection. Although the MX856 / MX857
feature proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may be sustained if subjected to high energy
electrostatic discharges. Proper ESD precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of
functionality.
1.8 AC Electrical Characteristics
VCC=VOPT=3.3V, VEE=-16.75V or -4.5V, input rise and fall times 6ns, VIN=3.1V, VIL=0.2V, TA=-40°C to +85°C
VCC=VOPT=5V, VEE=-15V or -4.5V, input rise and fall times 6ns, VIN=4.8V, VIL=0.2V, TA=-40°C to +85°C
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Propagation Delay (Low to High Input)
VCC=3.5V
TPLH
-22
29
ns
VCC=5.0V
-24
29
Propagation Delay (High to Low Input)
VCC=3.5V
TPHL
-20
29
VCC=5.0V
-20
29
Output Rise Time (CLD=10pF)
VCC=3.5V
TTLH
-5
9
VCC=5.0V
-4
9
Output Fall Time (CLD=10pF)
VCC=3.5V
TTHL
-5
8
VCC=5.0V
-4
8
Delay Skew (Output A to Output B)
VCC=3.5V
TSKEW
-5
10
VCC=5.0V
-5
10
Input Capacitance
-
CIN
-
15
pF
90%
10%
VCC-0.2V
90%
0.2V
6ns
50%
90%
50%
10%
50%
90%
10%
50%
90%
10%
50%
90%
Tskew
Tphl
Tskew
Tplh
Tlh
Thl
Tlh
IN
OUT
OUTB
V
OPT
V
EE
V
OPT
V
EE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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