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参数资料
| 型号： | MXD1210CWE+T |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1,000 |
| 控制器类型： | 非易失性 RAM |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
_______________________________________________________________________________________
3
Note 1: Only one battery input is required. Unused battery inputs must be grounded.
Note 2: ICCO1 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories.
Note 3: ICCO2 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories in battery-backup mode.
Note 4:
CEO can sustain leakage current only in battery-backup mode.
Note 5: Guaranteed by design.
Note 6: tCE max must be met to ensure data integrity on power loss.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Battery-Backup Mode
(VCCI < VBATT, positive edge rate at VBATT1, VBATT2 > 0.1V/s, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C/E
2
100
nA
Quiescent Current (Note 1)
IBATT
VCCO, CEO open,
VCCI = 0V
MXD1210M
5
A
Output Supply Current
ICCO2
VBATT - VCCO
≤ 0.2V (Notes 3, 4)
300
A
CEO Output Voltage
VO
Output open
VBATT -
0.2
V
CAPACITANCE
(TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.) (Note 5)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
CIN
5pF
Output Capacitance
COUT
7pF
VCC POWER TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI = +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI = +4.5V to +5.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C
5
10
20
MXD1210E
5
10
22
CE Propagation Delay
tPD
RL = 1k
Ω, CL = 50pF
MXD1210M
5
10
25
ns
CE High to Power-Fail
tPF
(Note 5)
0
ns
TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI
< +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI < +4.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Recovery at Power-Up
tREC
25
20
ms
tF
To out-of-tolerance condition
300
VCC Slew-Rate Power-Down
tFB
Tolerance to battery power
10
s
VCC Slew-Rate Power-Up
tR
0s
CE Pulse Width
tCE
(Note 6)
1.5
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXD1210CSA+T | IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC |
| VE-262-CX | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| ACM22DSEH | CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET |
| RBM12DSUS | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| DS1210S+TRL | IC CONTROLLER CHIP NV 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXD1210EPA | 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MXD1210EPA+ | 功能描述:存储器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否 制造商:Maxim Integrated |
| MXD1210ESA | 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MXD1210ESA+ | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| MXD1210ESA+T | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
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