- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19926 > MXD1210CWE+T (Maxim Integrated)IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MXD1210CWE+T |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1,000 |
| 控制器类型： | 非易失性 RAM |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
_______________________________________________________________________________________
7
Chip Topography
VBATT1
VCCO
TOL
0.121"
(3.073mm)
0.080"
(2.032mm)
VCCI VBATT2
CEO
GND
CE
TRANSISTOR COUNT: 1436;
LEAVE SUBSTRATE UNCONNECTED.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXD1210CSA+T | IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC |
| VE-262-CX | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| ACM22DSEH | CONN EDGECARD 44POS .156 EYELET |
| RBM12DSUS | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| DS1210S+TRL | IC CONTROLLER CHIP NV 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXD1210EPA | 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MXD1210EPA+ | 功能描述:存储器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否 制造商:Maxim Integrated |
| MXD1210ESA | 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel |
| MXD1210ESA+ | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| MXD1210ESA+T | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。