参数资料
型号: MXD1210ESA+
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 100
控制器类型: 非易失性 RAM
电源电压: 4.75 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
6
_______________________________________________________________________________________
VIH
tPD
tR
tREC
VBATT - 0.2V
VCCI
CEO
CE
4.75V
4.5V
4.25V
Figure 2. Power-Up Timing Diagram
VIH
VIL
tCE
tFB
tPF
tF
tPD
VCCI
CEO
CE
4.75V
4.5V
4.25V
3V
VBATT - 0.2V
Figure 3. Power-Down Timing Diagram
相关PDF资料
PDF描述
DS1210N+ IC CONTROLLER CHIP NV IND 8-DIP
RZB110DHHN CONN EDGE DUAL .050 DIP 220 POS
RMC28DRAI-S734 CONN EDGECARD 56POS .100 R/A PCB
3415-0002 CARD EDGE CONN 50POS W/FLANGE
RBM06DRMN-S288 CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
MXD1210ESA+ 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM(SRAM) 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件
MXD1210ESA+T 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM(SRAM) 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件
MXD1210ESA-T 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟(典型值):10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel
MXD1210EWE 功能描述:监控电路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟(典型值):10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel
MXD1210EWE+ 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM(SRAM) 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件