型号: | MXSMBG28AE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 204K |
代理商: | MXSMBG28AE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MXSMBG48CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
MXSMBJ75AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
MURS340-HE3 | 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
MAZ8068G | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAP6KE51A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MXSMBG28CAE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W BIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO215AA |
MXSMBG2K3.0 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA |
MXSMBG2K3.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):3V 电压 - 击穿(最小值):4.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1 |
MXSMBG2K3.3 | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):3.3V 电压 - 击穿(最小值):4.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.8V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1 |