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参数资料
| 型号： | MXSMBG28AE3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | MXSMBG28AE3TR |
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PAD LAYOUT
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2005
8-04-2005 REV G
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
A
B
C
D
E
F
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXSMBG48CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MXSMBJ75AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| MURS340-HE3 | 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| MAZ8068G | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAP6KE51A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXSMBG28CA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W BIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO215AA |
| MXSMBG28CAE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W BIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO215AA |
| MXSMBG2K3.0 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA |
| MXSMBG2K3.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:3V 电压 - 击穿（最小值）:4.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
| MXSMBG2K3.3 | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V 电压 - 击穿（最小值）:4.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 |
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